- 5 resultaten
laagste prijs: € 96,99, hoogste prijs: € 103,59, gemiddelde prijs: € 99,36
1
Compact MOSFET Models for VLSI Design - Byeong Gi Lee
bestellen
bij hive.co.uk
£ 89,21
(ongeveer € 103,59)
bestellen
Details en verzending
Gesponsorde link
Byeong Gi Lee:

Compact MOSFET Models for VLSI Design - nieuw boek

ISBN: 9780470823439

Practicing designers, students, and educators in the semiconductor field face an ever expanding portfolio of MOSFET models. In Compact MOSFET Models for VLSI Design , A.B. Bhattacharyya p… Meer...

No. 9780470823439. Verzendingskosten:Instock, Despatched same working day before 3pm, zzgl. Versandkosten., exclusief verzendingskosten
dichtslaan (X)
2
Compact MOSFET Models for VLSI Design - Sabu Thomas
bestellen
bij hive.co.uk
£ 89,21
(ongeveer € 102,26)
bestellen
Details en verzending
Gesponsorde link

Sabu Thomas:

Compact MOSFET Models for VLSI Design - nieuw boek

ISBN: 9780470823439

Practicing designers, students, and educators in the semiconductor field face an ever expanding portfolio of MOSFET models. In Compact MOSFET Models for VLSI Design , A.B. Bhattacharyya p… Meer...

No. 9780470823439. Verzendingskosten:Instock, Despatched same working day before 3pm, zzgl. Versandkosten., exclusief verzendingskosten
dichtslaan (X)
3
Compact MOSFET Models for VLSI Design - A. B. Bhattacharyya
bestellen
bij eBook.de
€ 96,99
verzending: € 0,001
bestellen
Details aangeboden
Gesponsorde link
A. B. Bhattacharyya:
Compact MOSFET Models for VLSI Design - nieuw boek

ISBN: 9780470823439

Compact MOSFET Models for VLSI Design: ab 96.99 € eBooks > Sachthemen & Ratgeber > Technik John Wiley & Sons eBook als pdf, John Wiley & Sons

Verzendingskosten:in stock, , , DE. (EUR 0.00)
dichtslaan (X)
4
Compact MOSFET Models for VLSI Design - A. B. Bhattacharyya
bestellen
bij lehmanns.de
€ 96,99
verzending: € 9,951
bestellen
Details aangeboden
Gesponsorde link
A. B. Bhattacharyya:
Compact MOSFET Models for VLSI Design - eerste uitgave

2009, ISBN: 9780470823439

eBooks, eBook Download (PDF), Auflage, [PU: Wiley-IEEE Press], [ED: 1], Wiley-IEEE Press, 2009

Verzendingskosten:Download sofort lieferbar. (EUR 9.95)
dichtslaan (X)
5
Compact MOSFET Models for VLSI Design - A. B. Bhattacharyya
bestellen
bij lehmanns.de
€ 96,99
verzending: € 0,001
bestellen
Details aangeboden
Gesponsorde link
A. B. Bhattacharyya:
Compact MOSFET Models for VLSI Design - eerste uitgave

2009, ISBN: 9780470823439

eBooks, eBook Download (PDF), 1. Auflage, [PU: Wiley], Wiley, 2009

Verzendingskosten:Download sofort lieferbar. (EUR 0.00)
dichtslaan (X)
1Aangezien sommige platformen geen verzendingsvoorwaarden meedelen en deze kunnen afhangen van het land van levering, de aankoopprijs, het gewicht en de grootte van het artikel, een eventueel lidmaatschap van het platform, een rechtstreekse levering door het platform of via een derde aanbieder (Marktplaats), enz., is het mogelijk dat de door euro-boek.nl meegedeelde verzendingskosten niet overeenstemmen met deze van het aanbiedende platform.

Bibliografische gegevens van het best passende boek

Bijzonderheden over het boek
Compact MOSFET Models for VLSI Design
auteur:
Titel:
ISBN:

9780470823439

Gedetalleerde informatie over het boek. - Compact MOSFET Models for VLSI Design


EAN (ISBN-13): 9780470823439
ISBN (ISBN-10): 0470823437
Verschijningsjaar: 2009
Uitgever: Wiley-IEEE Press

Boek bevindt zich in het datenbestand sinds 2008-12-23T09:00:37+01:00 (Amsterdam)
Detailpagina laatst gewijzigd op 2023-10-26T23:13:03+02:00 (Amsterdam)
ISBN/EAN: 9780470823439

ISBN - alternatieve schrijfwijzen:
0-470-82343-7, 978-0-470-82343-9
alternatieve schrijfwijzen en verwante zoekwoorden:
Auteur van het boek: sheppard, bhattacharyya
Titel van het boek: vlsi, mosfet, compact

Gegevens van de uitgever

Auteur: A. B. Bhattacharyya
Titel: Wiley - IEEE; Compact MOSFET Models for VLSI Design
Uitgeverij: Wiley-IEEE Press; John Wiley & Sons
512 Bladzijden
Verschijningsjaar: 2009-07-23
Taal: Engels
108,99 € (DE)
Not available (reason unspecified)

EA; E107; E-Book; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Circuit Theory & Design; Circuit Theory & Design / VLSI / ULSI; Electrical & Electronics Engineering; Elektrotechnik u. Elektronik; Schaltkreise - Theorie u. Entwurf; Schaltkreise - Theorie u. Entwurf / VLSI / ULSI; VLSI; Schaltkreise - Theorie u. Entwurf; Schaltkreise - Theorie u. Entwurf / VLSI / ULSI; BB

Preface. Acknowledgements. List of Symbols. 1 Semiconductor Physics Review for MOSFET Modeling. 1.1 Introduction. 1.2 Crystal Planes. 1.3 Band Theory of Semiconductors. 1.4 Carrier Statistics. 1.5 Carrier Generation and Recombination. 1.6 Carrier Scattering. 1.7 Contacts and Interfaces. 1.8 Strained Silicon. 1.9 Basic Semiconductor Equations. 1.10 Compact MOSFET Models. 1.11 The p-n Junction Diode. 1.12 Tunneling Through Potential Barrier. References. 2 Ideal Metal Oxide Semiconductor Capacitor. 2.1 Physical Structure and Energy Band Diagram. 2.2 Modes of Operation of MOS Capacitors. 2.3 Electric Field and Potential Distributions. 2.4 Potential Balance. 2.4.1 An Explicit Relation of phis withVGB. 2.5 Inversion Layer Thickness. 2.6 Threshold Voltage. 2.7 Small Signal Capacitance. 2.8 Three Terminal Ideal MOS Structures. References. 3 Non-ideal and Non-classical MOS Capacitors. 3.1 Introduction. 3.2 Flat-Band Voltage. .2.2 Oxide Charges. 3.3 Inhomogeneous Substrate. 3.4 Polysilicon Depletion Effect. 3.5 Non-classical MOS Structures. 3.6 MOS Capacitor With Stacked Gate. References. 4 Long Channel MOS Transistor. 4.1 Introduction. 4.2 Layout and Cross-Section of Physical Structure. 4.3 Static Drain Current Model. 4.4 Threshold Voltage (VT ) Based Model. 4.5 Memelink-Wallinga Graphical Model. 4.6 Channel Length Modulation. 4.6.1 Early Voltage. 4.7 Channel Potential and Field Distribution Along Channel. 4.8 Carrier Transit Time. 4.9 EKV Drain Current Model. 4.10 ACM and BSIM5 Models. 4.11 PSP Model. 4.12 HiSIM (Hiroshima University STARC IGFET Model) Model. 4.13 Benchmark Tests for Compact DC Models. References. 5 The Scaled MOS Transistor. 5.1 Introduction. 5.2 Classical Scaling Laws. 5.3 Lateral Field Gradient. 5.4 Narrow and Inverse Width Effects. 5.5 Reverse Short Channel Effect. 5.6 Carrier Mobility Reduction. 5.7 Velocity Overshoot. 5.8 Channel Length Modulation: A Pseudo-2-D Analysis. 5.9 Series Resistance Effect on Drain Current. 5.10 Polydepletion Effect on Drain Current. 5.11 Impact Ionization in High Field Region. 5.12 Channel Punch-Through. 5.13 Empirical Alpha Power MOSFET Model. 5.13.1 Physical Interpretation of the Alpha Power Model. References. 6 Quasistatic, Non-quasistatic, and Noise Models. 6.1 Introduction. 6.2 Quasistatic Approximation. 6.3 Terminal Charge Evaluation. 6.4 Quasistatic Intrinsic Small Signal Model. 6.5 Extrinsic Capacitances. 6.6 Non-quasistatic (NQS) Models. 6.7 Noise Models. References. 7 Quantum Phenomena in MOS Transistors. 7.1 Introduction. 7.2 Carrier Energy Quantization in MOS Capacitor. 7.3 2-D Density of States. 7.4 Electron Concentration Distribution. 7.5 Approximate Methods. 7.6 Quantization Correction in Compact MOSFET Models. 7.7 Quantum Tunneling. 7.8 Gate Current Density. 7.9 Compact Gate Current Models. 7.10 Gate Induced Drain Leakage (GIDL). References. 8 Non-classical MOSFET Structures. 8.1 Introduction. 8.2 Non-classical MOSFET Structures. 8.3 Double Gate MOSFET Models. References. Appendix A: Expression for Electric Field and PotentialVariation in the Semiconductor Space Charge under the Gate. Appendix B: Features of Select Compact MOSFET Models. Appendix C: PSP Two-point Collocation Method. Index.

Andere boeken die eventueel grote overeenkomsten met dit boek kunnen hebben:

Laatste soortgelijke boek:
9780470823422 Compact MOSFET Models for VLSI Design (Bhattacharyya, A. B.)

< naar Archief...