- 5 resultaten
laagste prijs: € 43,82, hoogste prijs: € 61,71, gemiddelde prijs: € 51,72
1
4h-Sic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Denis Perrone Author
bestellen
bij BarnesandNoble.com
€ 52,92
bestellenGesponsorde link

4h-Sic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Denis Perrone Author - nieuw boek

ISBN: 9783838380643

Silicon Carbide (SiC) is a semiconductor employed for the fabrication of high - power and high - frequency electronic devices, with lower power losses and smaller size than their Si or Ga… Meer...

new in stock. Verzendingskosten:zzgl. Versandkosten., exclusief verzendingskosten
2
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
bestellen
bij Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 43,82
verzending: € 3,001
bestellenGesponsorde link

Perrone, Denis:

4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - pocketboek

2010, ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Taschenbuch, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.18 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaf… Meer...

Verzendingskosten:Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.00)
3
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
bestellen
bij Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 49,00
verzending: € 0,001
bestellenGesponsorde link
Perrone, Denis:
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - pocketboek

2010

ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Taschenbuch, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.18 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaf… Meer...

Verzendingskosten:Auf Lager, Lieferung von Amazon. (EUR 0.00) Amazon.de
4
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
bestellen
bij amazon.co.uk
£ 53,44
(ongeveer € 61,71)
verzending: € 3,231
bestellenGesponsorde link
Perrone, Denis:
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - pocketboek

2010, ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Paperback, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, 0.18 kg, Electronics Engineering, Electronics & Communications Engineering, … Meer...

Gebraucht, wie neu. Verzendingskosten:Usually dispatched within 6 to 7 days. Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.23) swestbooks
5
bestellen
bij alibris.co.uk
£ 44,28
(ongeveer € 51,13)
bestellenGesponsorde link
Perrone, Denis:
4hsic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Process and Characterization Techniques - pocketboek

2007, ISBN: 9783838380643

Softcover, PLEASE NOTE, WE DO NOT SHIP TO DENMARK. New Book. Shipped from UK in 4 to 14 days. Established seller since 2000. Please note we cannot offer an expedited shipping service from… Meer...

Verzendingskosten:exclusief verzendingskosten Fairford, GLOS, Paperbackshop International

1Aangezien sommige platformen geen verzendingsvoorwaarden meedelen en deze kunnen afhangen van het land van levering, de aankoopprijs, het gewicht en de grootte van het artikel, een eventueel lidmaatschap van het platform, een rechtstreekse levering door het platform of via een derde aanbieder (Marktplaats), enz., is het mogelijk dat de door euro-boek.nl meegedeelde verzendingskosten niet overeenstemmen met deze van het aanbiedende platform.

Bibliografische gegevens van het best passende boek

Bijzonderheden over het boek
4h-Sic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Denis Perrone Author

Silicon Carbide (SiC) is a semiconductor employed for the fabrication of high - power and high - frequency electronic devices, with lower power losses and smaller size than their Si or GaAs counterparts. Recently, SiC substrates with a very low defect density, and with a good control on the doping characteristics became commercially available. Due to these technological improvements, the polytype 4H can be exploited in all its potential in order to fabricate Schottky Barrier Diodes (SBDs) and Junction Field Effect Transistors (JFETs). SiC SBDs with 600 V blocking voltage capabilities have been yet commercialized. This device can provide theoretical blocking voltage values as high as 3300 V with low leakage currents, well beyond the performances of the Si - based counterpart. In particular, SiC - based transistor JFETs can be designed with a vertical structure using the 4H polytype, because of the high values of the on - axis mobility. This book provides to the researchers in the field of SiC power devices an introduction to the process techniques commonly employed for the fabrication and characterization of SiC SBDs and JFETs.

Gedetalleerde informatie over het boek. - 4h-Sic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Denis Perrone Author


EAN (ISBN-13): 9783838380643
ISBN (ISBN-10): 3838380649
Gebonden uitgave
pocket book
Verschijningsjaar: 2010
Uitgever: LAP Lambert Academic Publishing Core >1 >T
116 Bladzijden
Gewicht: 0,189 kg
Taal: eng/Englisch

Boek bevindt zich in het datenbestand sinds 2008-07-30T12:01:24+02:00 (Amsterdam)
Detailpagina laatst gewijzigd op 2024-04-10T20:10:05+02:00 (Amsterdam)
ISBN/EAN: 9783838380643

ISBN - alternatieve schrijfwijzen:
3-8383-8064-9, 978-3-8383-8064-3
alternatieve schrijfwijzen en verwante zoekwoorden:
Auteur van het boek: perrone, denis den, dénis, schottky
Titel van het boek: sic diodes, sic non, transistors


< naar Archief...